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MS51

NuMicro® MS51 系列为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,工作频率最高至 24 MHz, 提供可配置 8 / 16 / 32 KB Flash 与 1 / 2 KB SRAM 并内置 10 kHz 与 24 MHZ 高精度时钟源,宽工作电压为 2.4 V ~ 5.5 V,并符合 - 40 ℃ 至 105 ℃ 的工业级操作温度。

应用领域

家庭自动化、工业控制、物联网装置、电池管理、无线充电等。 

特性特点

NuMicro® MS51 系列为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,工作频率最高至 24 MHz, 提供可配置 8 / 16 / 32 KB Flash 与 1 / 2 KB SRAM 并内置 10 kHz 与 24 MHZ 高精度时钟源,宽工作电压为 2.4 V ~ 5.5 V,并符合 - 40 ℃ 至 105 ℃ 的工业级操作温度。

NuMicro® MS51 系列具备 12-bit 高精度 ADC 具备多达 15 个外部通道可精确采样多笔数据,且内建 Bandgap 可反推精准电源电压 ; 5 组高达 1 Mbps 高速串口可用以连接多种模块、1 组 I²C、1 组 SPI ; 最多可支持 12 通道 PWM 输出且支持独立设定的独立时钟源的功能,GPIO 具有 20 mA 高电流驱动能力,更有 8 kV ESD 与 4.4 kV EFT 高抗干扰能力。

此系列提供从 10 至 32 管脚多样的封装为不同应用所需。


主要特征

  • CPU

    -全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器。

    -指令集全兼容 MCS-51。

    -4 级优先级中断配置。

    工作条件

    -宽电压工作范围 2.4V 至 5.5V。

    -宽工作频率最高至 24 MHz。

    -工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃。

    存储器

    -最高至32K字节APROM用户程序代码区。提供8K/16K/32K Flash根据料号选择。

    -可配置 4K/3K/2K/1K/0K 字节 LDROM 引导代码区,用户可灵活配置用途。

    -Flash 最高支持 100,000 写入次数。

    -256 字节片内直接存取 RAM;额外最高至 2 K 字节片内间接存取 RAM ( XRAM ) 通过 MOVX 指令读写。

    -内建 IAP 编程功能

    时钟源

    -24 MHz 高速内部振荡器,电源5.0V条件下±1 % 精度等级,全工作条件范围 ±2%精度等级。

    -16 MHz 高速内部振荡器,电源5.0V条件下±1 %精度等级,全工作条件范围 ±2%精度等级。

    -10kHz低速内部振荡器,出厂精度±10% 等级。

    电源管理配置

    -支持两种省电模式 : 空闲模式与掉电模式。掉电模式典型功耗 6μA。

  • 定时器

    -两组16位定时器/计数器 0 和 1,与标准 8051兼容。

    -一组自唤醒功能定时器(WKT),用于低功耗模式下自主唤醒。

    -一组看门狗(WDT),由内部 10 kHz 独立时钟作为时钟源。

    通讯接口

    -两组全双工串口,带有帧错误检测及自动地址辨识功能。UART0 的 TXD 及 RXD 脚可通过软件更换管脚位置。

    -多达三组 Smart Card 接口,支持 ISO7816-3 并支持 UART 通讯。

    -支持 ISO7816-3 并支持 UART 通讯。

    -一组 SPI 总线,主机模式及从机模式最高传输速率皆可达到 12Mbps。

    -一组 I²C 总线,主机模式及从机模式最高传输速率皆可达到 400Kbps。

    模拟

    -一组高达 15 路、12 位路 ADC,最高 500Ksps 采样率,可支持连续采样。

    GPIO

    -多达 30 个 GPIO 并支持中断。

    -六对,12 通道脉宽调制器 ( PWM ),16 位分辨率,带有不同的工作模式和故障刹车 ( Fault Brake ) 功能。

    其他特性

    -强效 ESD 及 EFT 能力。ESD HBM 通过 8 kV。EFT > ± 4.4 KV 。闩锁测试通过150 mA 。

    -96 位唯一标识符 ( UID )。

    -128 位唯一客户标识符 ( UCID )。

    -2-Byte ( 16-bit ) PDID。

样品申请

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